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2014考研江南大学半导体物理真题（回忆版）

2014-01-14 08:30:36来源：考研网

　　题型 填空(30)名词解释(30)证明画画(90)

　　一、大题:

　　1.画MOSEFT剖面图，输出曲线，转移曲线，分析工作原理

　　2.画pnp的共基组态 共射组态 输出曲线并标出饱和 截止 放大区

　　3.画出mos的三种能态图(积累，耗尽，反型 )n p 都要画

　　4.从能带理论说明 金属 半导体 绝缘体导电的不同

　　5.证明爱因斯坦方程

　　6，证明金半(n)接触加反向偏压下，杂质的情况 (式子不好打)

　　二、名词解释

　　1.霍尔

　　2.Early

　　3.简并半导体

　　4.施主受主

　　5. 欧姆接触

　　三、填空

　　1.()反应在电场下运动难易的物理量，()反应在浓度梯度下运动难易的物理量，它们的关系是( )

　　2.散射包括()()。

　　3.ni=n0p0,在()状态下成立，nopo的乘积与杂质浓度是否有关()，与温度是否有关()。

　　4.电子占据的半满带能带最高的叫()，没被电子占据的能带能量最低的是()，这两个能带之间没有啥啥的区域叫()

　　5. (暂缺)

　　6. (暂缺)

　　


本文关键字: 2014考研 考研专业课真题 江南大学

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