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研究生导师李成：厦门大学

2016-04-30 09:39:23来源：网络
姓　　名 李成 性　　别 男 出生年月 1970-12
所在院校 厦门大学 所在院系 物理与机电学院
职称 教授 招生专业 微电子学与固体电子学
研究领域 微电子学与固体电子学
联系方式 E-mail lich@xmu.edu.cn 电 话 0592*******邮 编 361005
地 址 福建省厦门市厦门大学物理与机电学院
个人简介
　　李成，1970年12月出生，理学博士，厦门大学物理系教授/博士生导师。
　　2004.4－　　厦门大学物理系，副教授、教授,2007年入选教育部新世纪人才计划
　　2002.1-2004.3 日本筑波大学物理工学系，量子电子学，助手
　　2000.7-2001.1 中国科学院半导体研究所，物理学，博士后，副研究员资格
　　1997.8-2000.7 中国科学院半导体研究所，微电子与固体电子学，博士研究生毕业
　　1995.6-1997.8　西安微电子技术研究所，集成电路设计，助理工程师
　　1992.8-1995.6 　兰州大学物理系，凝聚态物理，硕士研究生毕业
　　1988.8-1995.6　兰州大学物理系，固体电子学，本科
　　主要成果：1）利用UHV/CVD和MBE系统在国际上首次制备出SiGe/Si多量子阱长波长共振腔型光电探测器的研制，结果被美国光电子杂志Laser Focus World和WDM　Solution在新闻栏目中两次撰文跟踪报道，并被收入S. C. Jain教授所著“Silicon-Germanium　Strained Layers and Heterostructures ” by Academy press　（236－239页）2003年出版和L. Pavesi所著Optical interconnection: The Silicon Approach, by springer(134-135页)2006年出版专著中。　2）优化硅化铁发光二极管结构...　　李成，1970年12月出生，理学博士，厦门大学物理系教授/博士生导师。
　　2004.4－　　厦门大学物理系，副教授、教授,2007年入选教育部新世纪人才计划
　　2002.1-2004.3 日本筑波大学物理工学系，量子电子学，助手
　　2000.7-2001.1 中国科学院半导体研究所，物理学，博士后，副研究员资格
　　1997.8-2000.7 中国科学院半导体研究所，微电子与固体电子学，博士研究生毕业
　　1995.6-1997.8　西安微电子技术研究所，集成电路设计，助理工程师
　　1992.8-1995.6 　兰州大学物理系，凝聚态物理，硕士研究生毕业
　　1988.8-1995.6　兰州大学物理系，固体电子学，本科
　　主要成果：1）利用UHV/CVD和MBE系统在国际上首次制备出SiGe/Si多量子阱长波长共振腔型光电探测器的研制，结果被美国光电子杂志Laser Focus World和WDM　Solution在新闻栏目中两次撰文跟踪报道，并被收入S. C. Jain教授所著“Silicon-Germanium　Strained Layers and Heterostructures ” by Academy press　（236－239页）2003年出版和L. Pavesi所著Optical interconnection: The Silicon Approach, by springer(134-135页)2006年出版专著中。　2）优化硅化铁发光二极管结构，研制出室温低电流密度下发光的硅基电致发光器件，达到当时国际最好水平。3）在硅基上外延出低位错密度、高结晶质量纯Ge薄膜和组份可调SiGe弛豫”虚“衬底和SGOI衬底，用于硅基长波长光电探测器和高速电子器件如HBT和MOSFET。在国内外杂志如Applied Physics Letters，IEEE PTL，Journal of Applied Physics等和会议上发表论文五十多篇，其中被SCI收录二十多篇，被引用100余次，被EI收录三十多篇次。
获得奖项
　　获奖、专利和发明：
　　(1) 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法，发明专利，2008年12月，中华人民共和国专利局，等级：1 
　　(2) 一种半导体衬底的制备方法，发明专利，2003年08月，中华人民共和国专利局，等级：1 
　　获奖、专利和发明：
　　(1) 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法，发明专利，2008年12月，中华人民共和国专利局，等级：1
　　(2) 一种半导体衬底的制备方法，发明专利，2003年08月，中华人民共和国专利局，等级：1
著作及论文
　　论文发表：
　　(1) Promoting strain relaxation of SiGe film on Si substrate by inserting a low-temperature Ge islands layer in UHVCVD，《Applied Surface Science》，2008年12月 
　　(2) Morphological evolution of SiGe covered with and without native oxide during vacuum thermal annealing,，《Journal of Applied physics》，2008年11月 
　　(3) Numberical analysis of SiGe heterojunction bipolar phototransistor based on virtual substrate，《solid-state electronics》，2008年11月 
　　(4) Thermal annealing effects on a compositionally graded SiGe layer fabricated by oxidizing a strained SiGe layer ，《Applied Surface Science》，2008年06月 
　　(5) The influence of low-temperature Ge seed layer on growth of high-quality Ge epilayer on Si(1 0 0) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition ，《Journal of Crystal Growth》，2008年05月 
　　(6) Oxidation behavior of strained SiGe layer on silicon substrate in both dry and wet ambient，《Journal of The Electrochemical Society》，2008年03月 
　　(7) improvement of luminescence from Beta-FeSi2 particles embedded in silicon with high temperature silicon buffer layer ，《Journal of crystal growth》，2006年06月 
　　(8) Temperature dependence of electroluminescence from Si - based light emitting diodes with b-FeSi2 particles active region ，《Journal of luminescence》，2006年02月 
　　(9) Temperature dependence of electroluminescence from silicon　pin diode，《Journal of Applied Physics》，2006年01月 
　　(10) Growth and Characterization of Si-Based Light-Emitting Diode，《Jpn. Journal of applied physics》，2005年06月 
　　(11) Room-temperature electroluminescence of a Si-based pin diode with FeS...　　论文发表：
　　(1) Promoting strain relaxation of SiGe film on Si substrate by inserting a low-temperature Ge islands layer in UHVCVD，《Applied Surface Science》，2008年12月
　　(2) Morphological evolution of SiGe covered with and without native oxide during vacuum thermal annealing,，《Journal of Applied physics》，2008年11月
　　(3) Numberical analysis of SiGe heterojunction bipolar phototransistor based on virtual substrate，《solid-state electronics》，2008年11月
　　(4) Thermal annealing effects on a compositionally graded SiGe layer fabricated by oxidizing a strained SiGe layer ，《Applied Surface Science》，2008年06月
　　(5) The influence of low-temperature Ge seed layer on growth of high-quality Ge epilayer on Si(1 0 0) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition ，《Journal of Crystal Growth》，2008年05月
　　(6) Oxidation behavior of strained SiGe layer on silicon substrate in both dry and wet ambient，《Journal of The Electrochemical Society》，2008年03月
　　(7) improvement of luminescence from Beta-FeSi2 particles embedded in silicon with high temperature silicon buffer layer ，《Journal of crystal growth》，2006年06月
　　(8) Temperature dependence of electroluminescence from Si - based light emitting diodes with b-FeSi2 particles active region ，《Journal of luminescence》，2006年02月
　　(9) Temperature dependence of electroluminescence from silicon　pin diode，《Journal of Applied Physics》，2006年01月
　　(10) Growth and Characterization of Si-Based Light-Emitting Diode，《Jpn. Journal of applied physics》，2005年06月
　　(11) Room-temperature electroluminescence of a Si-based pin diode with FeSi2 particles embedded in the intrinisc silicon，《J.of Appl. phys.97, 043529(2005)》，2005年02月
　　(12) Influence of '-FeSi(2) Particle Size and Si Growth Rate on 1.5 5m Photoluminesce，《J. of Applied Physics》，2004年05月
　　(13) Epitaxial growth of semiconducting h-FeSi2 and its application to，《Thin solid films》，2004年04月
　　(14) Thermal enhancement of 1.6um Electroluminescence from a Si-based LED with FeSi2 active region，《Jpn J. of Applied Physics, 43(11B) L1492 (2004)》，2004年01月
　　(15) Time-Resolved Photoluminescence Study of i/?-FeSi2/Si Structures Grown by Molecular Beam pitaxy15.Influence of '-FeSi(2) Particle Size and Si Growth Rate on 1.5um photoluminesce，《Jpn. J. Appl. Phys.Vol. 43, No. 7A ，L930-L933,　2004》，2004年01月
　　(16) Influence of boron-doped Si cap layer on the photoluminescence of Beta-FeSi2 particles embedded in S，《J.of Applied Physics》，2003年08月
　　(17) SiGe/Si resonant-cavity-enhanced photodetectors for 1.3um operation fabricated using wafer bonding t，《J. of Applied Physics》，2002年08月
　　(18) Nanofabrication of grid-patterned substrate by holographic lithography，《J. of Crystal growth》，2002年05月
　　(19) Back-incident siGe-Si multiple quantum well RCE PD for 1.3um operation，《IEEE photonics Technology letters, 12(10), 1373(2000)》，2000年10月
　　(20) SiGe/Si RCE-PDs with a silicon-on-oxide reflector operating near 1.3um，《Applied Physics letters, 77(2), 157(2000)》，2000年07月
　　(21) Observation of quantum confined Stark shifts in SiGe/Si type-I multiple quantum wells，《Journal of Applied Physics》，2000年06月
　　(22) Characteristics of Circular Waveguide photodetectors using SiGe/Si multiple quantum wells，《Optical Material》，2000年03月
　　(23) A study of SiGe/Si quantum well intermixing by photocurrent spectroscopy，《Thin Solid Films，359, pp236~238, 2000》，2000年01月

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