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研究生导师常玉春：吉林大学

2016-05-07 10:29:19来源：网络
姓　　名 常玉春 性　　别 男 出生年月 1973-01
所在院校 吉林大学 所在院系 电子科学与工程学院
职称 副教授 招生专业 微电子学与固体电子学
研究领域 DC-DC电源管理芯片设计，新结构半导体材料和器件，新型半导体光电探测器及其外围电路设计
联系方式 E-mail 电 话 邮 编 0
地 址
个人简介
　　分别于1995年、1998年、2002年获吉林大学微电子学与固体电子学本科、硕士、博士学位，1998年留校任教，1999年到2001年在香港科技大学物理系做访问学者。作为项目负责人共获得国家自然科学基金资助两项，国家博士后基金资助项目一项，吉林大学青年基金、创新基金各一项，作为子项目负责人承担过一项863项目子课题，领导的课题组完成了多项模拟集成电路设计横向项目，发表文章二十余篇。2001年到2004年为我院本科生讲授集成电路CAD课程，2005年为我院研究生讲授半导体器件物理（二）。目前主要研究领域是DC-DC电源管理芯片设计，新结构半导体材料和器件，新型半导体光电探测器及其外围电路设计。
　　研究方向：
　　1、模拟/射频集成电路设计
　　2、新型半导体材料和器件
　　3、集成光电探测器
　　硕士招生要求：
　　1、半导体器件、微电子、电路系统专业
　　2、头脑活跃，理论基础扎实、动手能力强
　　3、计算机操作熟练，英语四级以上　　分别于1995年、1998年、2002年获吉林大学微电子学与固体电子学本科、硕士、博士学位，1998年留校任教，1999年到2001年在香港科技大学物理系做访问学者。作为项目负责人共获得国家自然科学基金资助两项，国家博士后基金资助项目一项，吉林大学青年基金、创新基金各一项，作为子项目负责人承担过一项863项目子课题，领导的课题组完成了多项模拟集成电路设计横向项目，发表文章二十余篇。2001年到2004年为我院本科生讲授集成电路CAD课程，2005年为我院研究生讲授半导体器件物理（二）。目前主要研究领域是DC-DC电源管理芯片设计，新结构半导体材料和器件，新型半导体光电探测器及其外围电路设计。
　　研究方向：
　　1、模拟/射频集成电路设计
　　2、新型半导体材料和器件
　　3、集成光电探测器
　　硕士招生要求：
　　1、半导体器件、微电子、电路系统专业
　　2、头脑活跃，理论基础扎实、动手能力强
　　3、计算机操作熟练，英语四级以上
著作及论文
　　发表文章
　　1、“PWM/PFM混合控制DC-DC变换器芯片的设计”，微电子学，已接受。（通讯联系人，核心）
　　2、“A Novel GaAs/InGaAs/AlGaAs Structure of Modulation-Doped Field-Effect Transistors with High Transconductances”，Chinese Physics Letter, 2002, Vol.19, no.4, p.588。（第一作者，SCI）
　　3、“The effect of vertical emitter ballasing resistors on the emitter current crowding effect in heterojunction bipolar transistors”，Solid-State Electronics, 2002, Vol.46, p1997。（第一作者，SCI）
　　“Ultrasensitive Si phototransistors with a punchthrough base”，Applied Physics Letters, 2001, Vol.79, no.6, p.773。（第二作者，SCI）　　发表文章
　　1、“PWM/PFM混合控制DC-DC变换器芯片的设计”，微电子学，已接受。（通讯联系人，核心）
　　2、“A Novel GaAs/InGaAs/AlGaAs Structure of Modulation-Doped Field-Effect Transistors with High Transconductances”，Chinese Physics Letter, 2002, Vol.19, no.4, p.588。（第一作者，SCI）
　　3、“The effect of vertical emitter ballasing resistors on the emitter current crowding effect in heterojunction bipolar transistors”，Solid-State Electronics, 2002, Vol.46, p1997。（第一作者，SCI）
　　“Ultrasensitive Si phototransistors with a punchthrough base”，Applied Physics Letters, 2001, Vol.79, no.6, p.773。（第二作者，SCI）

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