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研究生导师石广源：辽宁大学

2016-05-15 11:08:28来源：网络
姓　　名 石广源 性　　别 男 出生年月 1951-01
所在院校 辽宁大学 所在院系 物理学院
职称 副教授 招生专业 电子科学与技术
研究领域 电子科学与技术
联系方式 E-mail 电 话 邮 编 0
地 址
著作及论文
　　发表论文：
　　1. VDMOSFET的TOX与特征导通电阻RONA的关系VDMOSFET参数优化设计软件编制；
　　2. 压力变送器信号调整电路的设计思路；
　　3. 电阻栅MOSFET电流模型分析；
　　4. 双栅MOSFET工作原理与制造工艺；
　　5. 双极晶体管导通状态对功率纵向双扩散MOSFET静态电流-电压特性的影响；
　　6. VDMOSFET终端场板的设计考虑；
　　7. 六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻模型；
　　8. 一个专用芯片的边界扫描测试；
　　9. SiC结构的多型性等40余篇。
　　为硕士研究生讲授“VLSI原理与系统”以及“大功率半导体器件原理与设计”等课程。指导硕士论文近十人篇。　　发表论文：
　　1. VDMOSFET的TOX与特征导通电阻RONA的关系VDMOSFET参数优化设计软件编制；
　　2. 压力变送器信号调整电路的设计思路；
　　3. 电阻栅MOSFET电流模型分析；
　　4. 双栅MOSFET工作原理与制造工艺；
　　5. 双极晶体管导通状态对功率纵向双扩散MOSFET静态电流-电压特性的影响；
　　6. VDMOSFET终端场板的设计考虑；
　　7. 六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻模型；
　　8. 一个专用芯片的边界扫描测试；
　　9. SiC结构的多型性等40余篇。
　　为硕士研究生讲授“VLSI原理与系统”以及“大功率半导体器件原理与设计”等课程。指导硕士论文近十人篇。
承担项目
　　主持科研课题
　　1. 高压大电流IGBT的研制；
　　2. 低阻VDMOSFET研制与CAD软件研究；
　　3. 高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管的研制；
　　4. 双栅MOSFET研制；
　　5. 扩散硅压力传感器最佳技术原理；
　　等课题多项。　　主持科研课题
　　1. 高压大电流IGBT的研制；
　　2. 低阻VDMOSFET研制与CAD软件研究；
　　3. 高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管的研制；
　　4. 双栅MOSFET研制；
　　5. 扩散硅压力传感器最佳技术原理；
　　等课题多项。

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