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哈工大微电子学与固体电子学专业2018年考研复试指导

2018-03-02 11:10:39来源：哈工大

　　一、复试比例及主要内容

　　1、复试由笔试和面试两部分组成，外国语听力考试在面试中进行。复试的总成绩为280分，其中笔试200分，面试80分。

　　2、复试笔试科目

　　(1)电子线路(数字电子和模拟电子)，占100分。

　　主要内容：半导体二极管及其基本电路;半导体三极管及其放大电路基础;场效应放大电路;集成电路运算放大器;反馈放大电路;信号的运算与处理电路;信号的产生电路;直流稳压电源;逻辑门电路;组合逻辑电路的分析与设计;常用组合逻辑功能器件;触发器;时序逻辑电路的分析和设计;常用时序逻辑功能器件。

　　参考书目：1.《基础电子技术》，蔡惟铮主编，高等教育出版社，2004年8月第1版。

　　2.《集成电子技术》，蔡惟铮主编，高等教育出版社，2004年7月第1版。

　　(2)晶体管原理，占50分。

　　主要内容：pn结直流特性、空间电荷区和电容、pn结击穿;双极型晶体管的基本结构和工作原理、直流特性、频率特性、开关特性和功率特性的物理基础;场效应晶体管(包括结型和MOS场效应晶体管)的基本结构、工作原理、直流特性、频率特性、开关特性和功率特性;MOS场效应晶体管的阈值电压、短沟道与窄沟道效应以及击穿特性。

　　参考书目：1.《微电子器件基础》兰慕杰等编,电子工业出版社,2013年版.

　　2.《微电子技术基础――双极、场效应晶体管原理》曹培栋编著，电子工业出版社，2001年第一版。

　　3.《双极型与场效应晶体管》武世香编,电子工业出版社,1995年版

　　(3)半导体集成电路，占50分。

　　主要内容：典型的集成电路制造工艺流程及原理(双极工艺和MOS工艺);集成电路中常用的器件结构及其寄生效应;双极型逻辑集成电路(TTL及单管逻辑门)工作原理、静态特性、瞬态特性及版图设计;MOS逻辑集成电路(NMOS、CMOS以及MOS动态电路)工作原理、静态特性、瞬态特性及版图设计;各类MOS存储器的结构及特性;模拟集成电路中常用单元电路的结构、工作原理、性能及模拟集成电路版图设计特点等。

　　参考书目：《集成电路设计》，叶以正来逢昌编，清华大学出版社，2016年版。

　　3、面试主要内容。

　　(1)从事科研工作的基础与能力;

　　(2)综合分析与语言表达能力;

　　(3)外语听力及口语;

　　(4)大学学习情况及学习成绩;

　　(5)专业课以外其他知识技能的掌握情况;

　　(6)特长与兴趣;

　　(7)身心健康状况。


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本文关键字: 考研复试指导 哈尔滨工业大学

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