上海电力大学2021年F005半导体物理考试大纲

2020-09-14 15:11:16来源: 上海电力大学

  上海电力大学2021年F005半导体物理考试大纲

  一、参考书目:

  西安交大刘恩科主编.《半导体物理学》(第七版).北京:电子工业出版社,2011

  二、复习的总体要求

  考生应掌握半导体物理学的基本理论和基本概念,掌握半导体中的电子状态、杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布及运动规律;掌握PN结基本理论;了解半导体表面及半导体的光、热、磁、压阻等各种物理现象。

  三、主要复习内容

  ①半导体中的电子状态

  熟练掌握半导体中的电子运动、有效质量、本征半导体的导电机构;掌握锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。

  ②半导体中的杂质和缺陷能级

  熟练掌握锗、硅晶体中的杂质能级;理解应用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级;理解缺陷能级,位错能级。

  ③热平衡时半导体中载流子的统计分布

  掌握状态密度、费米能级载流子的统计分布,本征半导体的载流子浓度杂质半导体的载流子浓度

  ④半导体的导电性

  熟练掌握载流子的漂移运动、载流子的散射、迁移率与杂质浓度和温度的关系;了解热载流子。

  ⑤非平衡载流子

  掌握非平衡载流子的注入与复合、非平衡载流子的寿命、准费米能级、复合理论、陷阱效应、载流子的扩散运动、爱因斯坦关系。

  ⑥ p-n结

  理解p-n结及能带图、p-n结的电流电压特性、p-n结电容、p-n结击穿、p-n结隧道效应。

  ⑦ 金属和半导体的接触

  熟练掌握属和半导体接触的整流理论,理解少数载流子的注入、欧姆接触。


【专业课必备:2026考研自命题考试大纲】

【查询考研招生人数、招生专业、参考书】

点击展开阅读全文