中国科学院大学硕士研究生导师信息：白云

　　考研中一般在复试期间大家会联系硕士研究生导师，因为提前联系运气好的话，导师看到你的简历后可能对你非常感兴趣，在不违背原则的前提下没准会对你的复试指点一二。那在和导师邮件沟通的过程中如果你对导师的学术著作颇有研究或者在考研前就已经瞄准某位导师，那就很有必要对于硕士研究生导师的信息提前熟悉了解，方便以后的沟通。下面新东方在线考研频道为大家分享：“中国科学院大学硕士研究生导师信息：白云”文章。

　　白云 女 硕导 中国科学院微电子研究所

　　电子邮件： baiyun@ime.ac.cn

　　通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所四室

　　邮政编码： 100029

　　招生信息

　　招生专业

　　080903-微电子学与固体电子学

　　085400-电子信息

　　招生方向

　　射频、微波器件与电路集成技术

　　教育背景

　　2020-08--中国科学院微电子研究所 研究员

　　2004-09--中国科学院上海技术物理研究所 博士

　　2001-09--河北师范大学 硕士

　　1996-09--河北师范大学 学位

　　工作经历

　　工作简历

　　2020-08~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员

　　2010-10~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研

　　2009-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 助研

　　2007-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 博士后

　　2004-09~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 博士

　　2001-09~现在, 河北师范大学, 硕士

　　1996-09~现在, 河北师范大学, 学位

　　专利与奖励

　　奖励信息

　　(1) 高电流密度SiC电力电子器件关键技术及应用, 二等奖, 省级, 2019

　　(2) SiC电力电子器件关键技术及应用, 三等奖, 省级, 2018

　　专利成果

　　( 1 ) 一种SiC肖特基二极管及其制作方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201110380662.2

　　( 2 ) 具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 200910306624.5

　　( 3 ) 一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 200910306635.3

　　( 4 ) 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201210483461.X

　　( 5 ) 一种SiC肖特基二极管及其制作方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210483401.8

　　( 6 ) 一种测量高Al组分AlGaN刻蚀诱生界面态参数的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210482757.X

　　( 7 ) 一种具有增益的紫外探测器结构及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210483359.X

　　( 8 ) SiC肖特基二极管及其制作方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201110380007.7

　　( 9 ) 一种场限环结终端结构的优化设计方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201410671594.9

　　( 10 ) 双极晶体管及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201810894043.7

　　( 11 ) 一种碳化硅电力电子器件制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: 202110145212.9

　　( 12 ) 一种碳化硅器件的制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202110145208.2

　　出版信息

　　发表论文

　　(1) A Novel 4H-SiC Trench MOSFET Integrated With Mesa-Sidewall SBD, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 2 作者

　　(2) A novel 4H-SiC MOSFET for low switching loss and high-reliability applications, Semicond. Sci. Technol., 2020, 第 3 作者

　　(3) A trench/planar SiC MOSFET integrated with SBD (TPSBD) for low reverse recovery charge and low switching loss, Semicond. Sci. Technol., 2020, 第 2 作者

　　(4) Improved Electrical Properties of NO-nitrided Passivated SiC/SiO2 Interface after Electron Irradiation, Chin. Phys. B, 2019, 第 2 作者

　　(5) Analysis of the inhomogeneous barrier and phase composition of W/4H-SiC Schottky contacts formed at different annealing temperatures, Chin. Phys. B, 2018, 第 2 作者

　　(6) Design and Simulation of 4H-SiC MESFET Ultraviolet Photodetector with Gain, Materials Science Forum, 2017, 第 1 作者

　　(7) Structural Optimization of 4H-SiC BJT for Ultraviolet detection with High optical gain, Materials Science Forum, 2016, 第 1 作者

　　(8) Design and Optimization of AlGaN Solar-blind Double Heterojunction, Materials Science Forum, 2016, 第 1 作者

　　(9) Effect of Annealing on the Characteristics of Pd/Au Contacts to p-Type GaN/Al0.45Ga0.55N, Journal of Electronic Materials, 2012, 第 1 作者

　　(10) Effect of radio frequency power on the inductively coupled plasma etched Al0.65Ga0.35N surface, Applied Surface Science, 2010, 第 1 作者

　　科研活动

　　科研项目

　　( 1 ) 高增益碳化硅紫外光电晶体管基础问题研究, 主持, 国家级, 2013-01--2016-12

　　( 2 ) 高增益AlGaN日盲紫外异质结光电晶体管基础问题研究, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12

　　( 3 ) 1700V/30ASiC MOSFET 器件研制, 主持, 省级, 2017-01--2018-12

　　( 4 ) 化合物基车用芯片材料技术研究, 主持, 院级, 2017-01--2018-12

　　( 5 ) 高温SiC芯片研究, 主持, 国家级, 2016-07--2021-06

　　( 6 ) 碳化硅xx器件xx关键技术研究, 主持, 研究所(学校), 2020-01--2021-12

　　( 7 ) 高质量碳化硅xx工艺技术研究, 主持, 研究所(学校), 2020-01--2022-12

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