中国科学院大学硕士研究生导师信息：毕大炜

　　考研中一般在复试期间大家会联系硕士研究生导师，因为提前联系运气好的话，导师看到你的简历后可能对你非常感兴趣，在不违背原则的前提下没准会对你的复试指点一二。那在和导师邮件沟通的过程中如果你对导师的学术著作颇有研究或者在考研前就已经瞄准某位导师，那就很有必要对于硕士研究生导师的信息提前熟悉了解，方便以后的沟通。下面新东方在线考研频道为大家分享：“中国科学院大学硕士研究生导师信息：毕大炜”文章。

　　毕大炜 男 硕导 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

　　电子邮件： davidb@mail.sim.ac.cn

　　通信地址： 上海市长宁路865号8号楼510室

　　邮政编码：

　　招生信息

　　招生专业

　　080903-微电子学与固体电子学

　　招生方向

　　高可靠SOI集成电路技术

　　教育背景

　　2005-09--2010-05 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 博士

　　2001-09--2005-06 中国科学技术大学 本科

　　工作经历

　　工作简历

　　2015-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员

　　2010-06~2014-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员

　　2005-09~2010-05,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士

　　2001-09~2005-06,中国科学技术大学, 本科

　　社会兼职

　　2018-09-01-2019-08-31,昆山市科学技术局, 副局长

　　专利与奖励

　　奖励信息

　　(1) 2017-2019年度辐射物理领域十大科技进展奖, 一等奖, 部委级, 2019

　　(2) SOI专用技术与设备开发合作奖, 一等奖, 其他, 2019

　　专利成果

　　( 1 ) 一种抗辐射的SOI材料的制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202010578947.6

　　出版信息

　　发表论文

　　(1) Substrate effect on radiation-induced charge trapping in buried oxide for partially-depleted SOI NMOSFET, IEICE Electronics Express, 2020, 通讯作者

　　(2) A Special Total-Ionizing-Dose-Induced Short Channel Effect in Thin-Film PDSOI Technology: Phenomena, Analyses, and Models, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 第 1 作者

　　(3) The characterization of the built-in bipolar junction transistor in H-gate PDSOI NMOS, Solid-State Electronics, 2020, 通讯作者

　　(4) The analysis of the anomalous hot-carrier effect in partially depleted SOI pMOSFETs fabricated on modified wafer, Microelectronics Reliability, 2019, 第 2 作者

　　(5) Metastable Electron Traps in Modified Silicon-on-Insulator Wafer, CHIN. PHYS. LETT., 2018, 第 2 作者

　　(6) Influence of characteristics measurement sequence on total ionizing dose effect in PDSOI nMOSFET, Chin. Phys. B, 2018, 第 2 作者

　　(7) Research on the radiation hardened SOI devices with Single step Si ion implantation, Chin. Phys. B, 2018, 第 2 作者

　　科研活动

　　科研项目

　　( 1 ) 特殊晶体管定制工艺开发, 主持, 国家级, 2018-01--2020-12

　　( 2 ) 130nm高可靠SOI工艺建模建库技术研究, 参与, 省级, 2018-02--2020-06

　　( 3 ) 41424040503, 参与, 国家级, 2016-01--2020-12

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