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哈尔滨工业大学2023考研复试考试大纲：半导体物理Ⅱ

2023-02-21 07:24:00来源：

　　目前各大院校开始陆续公布2023考研复试大纲的相关内容，对于同学们来说，我们还是需要及时关注院校发布的大纲内容，这样可以帮助我们圈定复试复习内容，做好相应的备考。下面小编为大家整理了“哈尔滨工业大学2023考研复试考试大纲：半导体物理Ⅱ”，供大家参考。2023考研复试考试大纲汇总（各院校）

哈尔滨工业大学2023考研复试考试大纲：半导体物理Ⅱ

　　根据教育部关于加强硕士研究生招生复试工作的指导意见及学校有关要求，现确定材料科学与工程学院2023年硕士研究生招生复试参考。

　　Ⅰ复试总成绩为350分，其中专业综合测试200分，面试150分。

　　Ⅱ各学科方向具体如下：

　　报考0805材料科学与工程(学科方向：10光电信息科学与工程)

　　科目代码：00300

　　科目名称：半导体物理Ⅱ

　　一、考试要求

　　要求考生系统地掌握半导体物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半导体的物理性能。要求考生对半导体的晶体结构和能带结构、载流子统计分布、载流子输运过程、p-n结理论、金属-半导体接触理论、半导体光电效应等基本原理有很好的掌握，并能熟练运用分析半导体的光电特性。

　　二、考试内容

　　1、半导体晶体结构和能带论及杂质半导体理论(30分)

　　1)半导体晶格结构及电子状态和能带

　　2)半导体中电子的运动

　　3)本征半导体的导电机构

　　4)硅和锗及常用化合物半导体的能带结构

　　5)硅和锗晶体中的杂质能级

　　6)常用化合物半导体中的杂质能级

　　7)缺陷、位错能级

　　2、载流子的统计分布与半导体的导电性(40分)

　　1)状态密度与载流子的统计分

　　2)本征与杂质半导体的载流子浓度

　　3)一般情况下载流子统计分布

　　4)简并半导体

　　5)载流子的漂移运动与散射机构

　　6)迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系

　　7)多能谷散射、耿氏效应

　　3、非平衡载流子(30分)

　　1)非平衡载流子的注入、复合与寿命

　　2)准费米能级

　　3)复合理论、陷阱效应

　　4)载流子的扩散、电流密度方程

　　5)连续性方程

　　4、p-n结理论和金属-半导体接触理论(40分)

　　1)p-n结及其能带

　　2)p-n结电流电压特性

　　3)p-n结电容、p-n结隧道效应

　　4)金-半接触、能带及整流理论、欧姆接触

　　5、半导体异质结构和半导体光电效应(60分)

　　1)半导体异质结及其能带图

　　2)半导体异质p-n结的电流电压特性

　　3)半导体的光学性质(光吸收和光发射)

　　4)半导体的光电导效应

　　5)半导体的光生伏特效应

　　6)半导体发光二极管、光电二极管

　　三、参考书目

　　1)刘恩科，朱秉升，罗晋升编著，《半导体物理学》，电子工业出版社，2011.3

　　2)[美]施敏(S.M.Sze)，《半导体器件物理》，电子工业出版社，1987.12

　　以上就是关于“哈尔滨工业大学2023考研复试考试大纲：半导体物理Ⅱ”的介绍，希望帮助大家更好的来复习备考。

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本文关键字: 考研复试大纲 考研复试

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