国防科技大学2026年F0307集成电路设计与工艺考研大纲及参考

　　2026 年全国硕士研究生招生考试

　　国防科技大学自命题科目考试大纲

　　科目代码：F0307 科目名称：集成电路设计与工艺

　　一、考试要求

　　集成电路设计与工艺课程主要考查学生对常用半导体材料

　　及集成电路工艺的理解与掌握;对集成电路制造中的光刻技术、

　　半导体器件工作原理、特性分析方法的理解与掌握;对模拟与数

　　字集成电路设计中基本电路单元、关键技术原理的理解和掌握，

　　以及运用基本电路理论，结合集成电路分析方法，分析解决集成

　　电路问题的能力。

　　二、考试内容

　　1.集成电路工艺

　　a. 常用半导体材料

　　b. 集成电路主要制作工艺原理与过程

　　c. CMOS 器件制作工艺原理与过程

　　d. 集成电路设计流程与生产渠道

　　2.半导体器件

　　a. MOS 管工作区与对应电压偏置条件

　　b. MOS 管的I-V特性：阈值电压、漏电流公式、MOS管跨导

　　c. MOS 管二级效应

　　d. 寄生电容模型与计算方法- 1

　　e. 小信号模型分析方法

　　3.模拟集成电路

　　a. 单级放大电路：共源级，源极跟随器、共栅极、共源共

　　栅级电路组成与原理

　　b. 差动放大电路：共模、差模增益，失配影响，共源共栅

　　差分放大电路增益、输出阻抗分析

　　c. 电流镜：基本电流镜，共源共栅电流镜原理，五管OTA

　　的增益、输出摆幅、输出阻抗、镜像极点分析

　　d. 放大器：单级放大器与二级放大器设计方法，转换速率

　　概念

　　e. 频率响应：密勒效应，结点与极点关系，共源放大电路

　　极点，传输函数分析，波特图绘制与分析。

　　f. 稳定性与频率补偿：振荡条件，相位裕度概念，频率补

　　偿原则，密勒补偿与极点分裂概念

　　g. 带隙基准：正温度系数、负温度系数概念，电流/电压带

　　隙基准电路结构，PTAT电流概念

　　4.数字集成电路

　　a. CMOS 反相器：反相器阈值、输出电平、功耗来源与计算

　　方法、传播延时、反相器链驱动大负载设计方法

　　b. 组合逻辑：互补CMOS逻辑，有比逻辑，传输管逻辑，大

　　扇入设计技术，功耗计算，延时与信号组合相关，降低开关活动

　　性技术- 2

　　c. 时序逻辑：触发器和锁存器原理，偏差、抖动来源，偏

　　差和抖动对时序影响，寄存器时序参数，考虑偏差和抖动的时序

　　约束条件，基于锁存器的流水线原理

　　d. 互连：导线延迟、串扰概念，降低串扰方法

　　e. 加法器：不同类型加法器延时设计方法

　　f. 降功耗方法：设计时间方法，使用时间方法

　　三、考试形式

　　考试形式为闭卷、笔试，考试时间为120分钟，满分100分。

　　题型包括：选择题、填空题、简答题、综合题。

　　四、参考书目

　　《集成电路制造技术-原理与工艺》(第3版)第3-9章，田

　　丽等，电子工业出版社，2023。

　　《模拟CMOS集成电路设计》(第2版)，拉扎维，西安交通

　　大学出版社，2019。

　　《数字集成电路：电路、系统与设计》(第2版)，拉贝艾等，

　　电子工业出版社，2017。

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