中国科学院大学2026年804半导体物理考研大纲及参考书目

　　中国科学院大学硕士研究生入学考试

　　《半导体物理》考试大纲

　　本《半导体物理》考试大纲适用于中国科学院大学微电子学与固体电子学专业的硕士

　　研究生入学考试。半导体物理学是现代微电子学与固体电子学的重要基础理论课程，它的主

　　要内容包括半导体的晶格结构和电子状态;杂质和缺陷能级;载流子的统计分布;载流子的

　　散射及电导问题;非平衡载流子的产生、复合及其运动规律;半导体的表面和界面─包括

　　p-n 结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、异质结;半导体的光、热、磁、压阻等

　　物理现象和非晶半导体部分。要求考生对其基本概念有较深入的了解，能够系统地掌握书中

　　基本定律的推导、证明和应用，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。

　　一、考试形式

　　(一)闭卷，笔试，考试时间180分钟，试卷总分150分

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　　(二)试卷结构

　　第一部分：名词解释， 约50分

　　第二部分：简答题，约20分

　　第三部分：计算题、证明题，约80分

　　二、考试内容

　　(一)半导体的电子状态：

　　半导体的晶格结构和结合性质，半导体中的电子状态和能带，半导体中的电子运动和

　　有效质量，本征半导体的导电机构，空穴，回旋共振，硅和锗的能带结构，III-V族

　　化合物半导体的能带结构，II-VI族化合物半导体的能带结构

　　(二)半导体中杂质和缺陷能级：

　　硅、锗晶体中的杂质能级，III-V族化合物中杂质能级，缺陷、位错能级

　　(三)半导体中载流子的统计分布

　　状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的

　　载流子浓度，一般情况下的载流子统计分布，简并半导体

　　(四)半导体的导电性

　　载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻

　　率及其与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程，电导率的统计理论，强电场下的效

　　应，热载流子，多能谷散射，耿氏效应

　　(五)非平衡载流子

　　非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效

　　应，载流子的扩散运动，载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式，连续性方程式

　　(六)p-n结

　　p-n 结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容，p-n结击穿，p-n结隧道效应

　　(七)金属和半导体的接触

　　金属半导体接触及其能级图，金属半导体接触整流理论，少数载流子的注入和欧姆接

　　触

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　　(八)半导体表面与MIS结构

　　表面态，表面电场效应，MIS 结构的电容-电压特性，硅─二氧化硅系数的性质，表

　　面电导及迁移率，表面电场对p-n结特性的影响

　　(九)异质结

　　异质结及其能带图，异质结的电流输运机构，异质结在器件中的应用，半导体超晶格

　　(十)半导体的光、热、磁、压阻等物理现象

　　半导体的光学常数，半导体的光吸收，半导体的光电导，半导体的光生伏特效应，半

　　导体发光，半导体激光，热电效应的一般描述，半导体的温差电动势率，半导体的玻

　　尔帖效应，半导体的汤姆孙效应，半导体的热导率，半导体热电效应的应用，霍耳效

　　应，磁阻效应，磁光效应，量子化霍耳效应，热磁效应，光磁电效应，压阻效应，声

　　波和载流子的相互作用

　　三、考试要求

　　(一)半导体的晶格结构和电子状态

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　　1.了解半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。

　　2.理解半导体中的电子状态和能带的基本概念。

　　3.掌握半导体中的电子运动规律，理解有效质量的意义。

　　4.理解本征半导体的导电机构，理解空穴的概念。

　　5.熟练掌握空间等能面和回旋共振的相关公式推导、并能灵活运用。

　　6.理解硅和锗的能带结构，掌握有效质量的计算方法。

　　7.了解III-V族化合物半导体的能带结构。

　　8.了解II-VI族化合物半导体的能带结构。

　　(二)半导体中杂质和缺陷能级

　　1.理解替位式杂质、间隙式杂质、施主杂质、施主能级、受主杂质、受主能级的概念。

　　2.简单计算浅能级杂质电离能。

　　3.了解杂质的补偿作用、深能级杂质的概念。

　　4.了解III-V族化合物中杂质能级的概念。

　　5.理解点缺陷、位错的概念。

　　(三)半导体中载流子的统计分布

　　1.深入理解并熟练掌握状态密度的概念和表示方法。

　　2.深入理解并熟练掌握费米能级和载流子的统计分布。

　　3.深入理解并熟练掌握本征半导体的载流子浓度的概念和表示方法。

　　4.深入理解并熟练掌握杂质半导体的载流子浓度的概念和表示方法。

　　5.理解并掌握一般情况下的载流子统计分布。

　　6.深入理解并熟练掌握简并半导体的概念，简并半导体的载流子浓度的表示方法，简

　　并化条件。了解低温载流子冻析效应、禁带变窄效应。

　　(四)半导体的导电性

　　1.深入理解迁移率的概念。并熟练掌握载流子的漂移运动，包括公式。

　　2.深入理解载流子的散射的概念。

　　3.深入理解并熟练掌握迁移率与杂质浓度和温度的关系，包括公式。

　　4.深入理解并熟练掌握电阻率及其与杂质浓度和温度的关系，包括公式。

　　5.深入理解电导率的统计理论。并熟练掌握玻尔兹曼方程。

　　6.了解强电场下的效应和热载流子的概念。

　　7.了解多能谷散射概念和耿氏效应。

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　　(五)非平衡载流子

　　1.深入理解非平衡载流子的注入与复合的概念，包括表达式。

　　2.深入理解非平衡载流子的寿命的概念，包括表达式、能带示意图。

　　3.深入理解准费米能级的概念，包括表达式、能带示意图。

　　4.了解复合理论，理解直接复合、间接复合、表面复合、俄歇复合的概念，包括表达

　　式、能带示意图。

　　5.了解陷阱效应，包括表达式、能带示意图。

　　6.深入理解并熟练掌握载流子的扩散运动，包括公式。

　　7.深入理解并熟练掌握载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式。并能灵活运用。

　　8.深入理解并熟练掌握连续性方程式。并能灵活运用。

　　(六)p-n结

　　1.深入理解并熟练掌握p-n结及其能带图，包括公式、能带示意图。

　　2.深入理解并熟练掌握p-n结电流电压特性，包括公式、能带示意图。

　　3.深入理解p-n结电容的概念，熟练掌握p-n结电容表达式、能带示意图。

　　4.深入理解雪崩击穿、隧道击穿热击穿的概念。

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　　5.了解p-n结隧道效应。

　　(七)金属和半导体的接触

　　1.了解金属半导体接触及其能带图。理解功函数、接触电势差的概念，包括公式、能

　　带示意图。了解表面态对接触势垒的影响。

　　2.了解金属半导体接触整流理论。深入理解并熟练掌握扩散理论、热电子发射理论、

　　镜像力和隧道效应的影响、肖特基势垒二极管的概念。

　　3.了解少数载流子的注入和欧姆接触的概念。

　　(八)半导体表面与MIS结构

　　1.深入理解表面态的概念。

　　2.深入理解表面电场效应，空间电荷层及表面势的概念，包括能带示意图。深入理解

　　并熟练掌握表面空间电荷层的电场、电势和电容的关系，包括公式、示意图。并能灵活

　　运用。

　　3.深入理解并熟练掌握 MIS 结构的电容-电压特性，包括公式、示意图。并能灵活运

　　用。

　　4.深入理解并熟练掌握硅─二氧化硅系数的性质，包括公式、示意图。并能灵活运用。

　　5.理解表面电导及迁移率的概念。

　　6.了解表面电场对p-n结特性的影响。

　　(九)异质结

　　1.理解异质结及其能带图，并能画出示意图。

　　2.了解异质结的电流输运机构。

　　3.了解异质结在器件中的应用。

　　4.了解半导体超晶格的概念。

　　(十)半导体的光、热、磁、压阻等物理现象

　　1.了解半导体的光学常数，理解折射率、吸收系数、反射系数、透射系数的概念。了

　　解半导体的光吸收现象，理解本征吸收、直接跃迁、间接跃迁的概念。了解半导体的光

　　电导的概念。理解并掌握半导体的光生伏特效应，光电池的电流电压特性的表达式。了

　　解半导体发光现象，理解辐射跃迁、发光效率、电致发光的概念。了解半导体激光的基

　　本原理和物理过程，理解自发辐射、受激辐射、分布反转的概念。

　　2. 了解热电效应的一般描述，半导体的温差电动势率，半导体的珀耳帖效应，半导体

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　　的汤姆孙效应，半导体的热导率，半导体热电效应的应用。

　　3. 理解并掌握霍耳效应的概念和表示方法。理解磁阻效应。了解磁光效应，量子化霍

　　耳效应，热磁效应，光磁电效应，压阻效应。了解声波和载流子的相互作用。

　　三、主要参考书目

　　刘恩科，朱秉升，罗晋生.《半导体物理学》，电子工业出版社，2008。

　　编制单位：中国科学院大学

　　编制日期：2025年6月30日

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