绍兴文理学院863半导体物理2026年考研大纲及参考书目

　　硕士研究生招生考试业务课考试大纲

　　考试科目： 半导体物理

　　一、考试目的和要求

　　科目代码： 863

　　本科目考试的重点是要求熟练掌握半导体中电子状态、运动规律、能带结构和基本电学

　　特性等问题。掌握半导体物理中一些特殊问题的处理方法，例如载流子浓度的计算、pn导

　　电类型的判断、爱因斯坦关系式的推导等，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的

　　能力。

　　二、考试基本内容

　　(一)半导体中的电子状态

　　半导体的晶格结构和结合性质;半导体中的电子状态和能带;半导体中的电子运动、有

　　效质量;本征半导体的导电机构、空穴;了解硅、锗、砷化镓的能带结构。

　　(二)半导体中的杂质和缺陷能级

　　硅、锗晶体中的杂质能级;会进行浅能级杂质电离能的简单计算;理解杂质的补偿作用;

　　深能级杂质;缺陷、位错能级;了解 III-V族化合物中的杂质能级。

　　(三)半导体中载流子的统计分布

　　理解k空间、状态密度函数、费米分布函数;费米能级和载流子的统计分布;会进行本

　　征半导体和杂质半导体载流子浓度的计算;一般情况下的载流子分布;简并半导体。

　　(四)半导体的导电性

　　载流子的漂移运动和迁移率的意义;掌握载流子散射的概念和主要的散射机构;理解迁

　　移率与杂质浓度和温度的关系;电阻率及其与杂质浓度和温度的关系。

　　(五)非平衡载流子

　　理解非平衡载流子的注入和复合;非平衡载流子的寿命;掌握准费米能级、复合理论、

　　陷阱效应;理解载流子的扩散运动和漂移运动;掌握爱因斯坦关系式;会进行简单情况连续

　　性方程式的推导及计算;了解少数载流子寿命与扩散长度。

　　(六)P-N结

　　理解pn结空间电荷区和能带图;掌握理想pn结电流-电压特性;了解非理想pn结因素;

　　了解pn结电容的来源;掌握突变结势垒区电势、电场的分布;理解pn结击穿和隧道效应。

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　　三、考试题型及分值

　　(一)选择题：每小题5分，共10小题。

　　(二)简答题：每小题10分，共4小题。

　　(三)分析题：每小题20分，共3小题。

　　四、考试方式

　　闭卷，笔试

　　五、考试知识点

　　半导体中的电子状态：半导体的晶体结构;能带理论;半导体的导电机构。

　　半导体中的杂质和缺陷能级：半导体的掺杂;半导体中的缺陷;杂质的补偿作用

　　半导体中载流子的统计分布：k空间、状态密度函数、费米分布函数的定义;费米能级

　　和载流子的统计分布;半导体中载流子浓度的分布及计算;简并半导体的定义。

　　半导体的导电性：载流子的漂移运动和迁移率;载流子散射;载流子迁移率;半导体的

　　电阻率;

　　非平衡载流子：非平衡载流子的注入、复合及寿命;准费米能级;复合理论、陷阱效应;

　　载流子的扩散运动和漂移运动;

　　P-N结：pn结的形成;空间电荷区和能带图;pn结电流-电压特性;pn结击穿和隧道

　　效应。

　　六、参考书目

　　1. 《半导体物理学》，刘恩科主编，电子工业出版社，2017年2月版;

　　2. 《半导体物理与器件》(第四版)，赵毅强等译，电子工业出版社，2018年6月版。

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