中国科学院大学硕士研究生导师信息：蔡道林

　　考研中一般在复试期间大家会联系硕士研究生导师，因为提前联系运气好的话，导师看到你的简历后可能对你非常感兴趣，在不违背原则的前提下没准会对你的复试指点一二。那在和导师邮件沟通的过程中如果你对导师的学术著作颇有研究或者在考研前就已经瞄准某位导师，那就很有必要对于硕士研究生导师的信息提前熟悉了解，方便以后的沟通。下面新东方在线考研频道为大家分享：“中国科学院大学硕士研究生导师信息：蔡道林”文章。

　　蔡道林 男 硕导 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

　　电子邮件： caidl@mail.sim.ac.cn

　　通信地址： 上海市长宁路865号

　　邮政编码：

　　招生信息

　　招生专业

　　080903-微电子学与固体电子学

　　085400-电子信息

　　招生方向

　　微电子技术

　　专利与奖励

　　奖励信息

　　(1) 八面体基元理论指导发现新型相变材料与其在128Mb存储芯片中应用, 一等奖, 其他, 2019

　　专利成果

　　( 1 ) 一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201610140946.7

　　( 2 ) 相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: cn2016101785963

　　( 3 ) 一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201610118179X

　　( 4 ) 一种具有保持力测试功能的相变存储器, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610349687.9

　　( 5 ) 电压电流测试 自动切换电路、相变单元测试系统及方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN201710749389.3

　　( 6 ) 一种存储单元负载电压的测试方法及测试电路, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107886993A

　　( 7 ) 一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107068198

　　( 8 ) 一种阶梯脉冲的确认方法、装置、电子设备和存储介质, 2019, 第 2 作者, 专利号: cn201910699840.4

　　( 9 ) 一种数据的多级存储方法、系统、电子设备及存储介质, 2019, 第 2 作者, 专利号: cn201911178667.X

　　( 10 ) 相变储存器控制装置、相变储存器控制方法、电子装置及存储介质, 2019, 第 1 作者, 专利号: cn201910196702.4

　　( 11 ) 一种阶梯脉冲确定方法、系统及存储介质, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN201910743318.1

　　( 12 ) 一种二极管选通阵列中串联电阻及理想因子的测量方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: 202011156695.4

　　( 13 ) 一种预测不同写操作下的相变存储器单元热稳定性的方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: 202010651804.3

　　出版信息

　　发表论文

　　(1) 12-State Multi-level Cell Storage Implemented in 128 Mb Phase Change Memory Chip, Nanoscale, 2021, 第 2 作者

　　(2) Endurance Improvement of Phase Change Memory Based on High and Narrow RESET, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2020, 第 2 作者

　　(3) Reliability Modelling and Prediction Method for Phase Change Memory Using Optimal Pulse Conditions, Journal of Shanghai Jiao Tong University (Science), 2020, 第 2 作者

　　(4) An Optimized Fast Stair-case Set Pulse with Variable Width for Phase Change Random Access Memory, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2020, 第 3 作者

　　(5) Microscopic mechanism of carbon-dopant manipulating device performance in CGeSbTe-based phase change random access memory, ACS Applied Materials & Interfaces, 2020, 第 2 作者

　　(6) RESET current optimization for phase change memory based on the sub-threshold slope, Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 第 3 作者

　　(7) The impact of the electrode performance on the endurance properties of the phase change memory, IEEE Transactions on device and materials reliability, 2019, 第 2 作者

　　(8) Three-dimensional simulations of RESET operation in phase-change random access memory with blade-type like phase change layer by finite element modeling, Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 第 3 作者

　　(9) High performance of multilevel-cell phase change memory device with good endurance reliability, Semiconductor Science and Technology, 2019, 第 3 作者

　　(10) Investigation on the Scaling Performances of Carbon Doped Ge2Sb2Te5 Thin Films for Phase Change Random Access Memory in a 40 nm Process, Physica States Solidi A-Application and Materials Science, 2019, 第 2 作者

　　(11) Analysis and optimization of read/write reliability for 12F2 cross-point ultra-fast phase change memory, Semiconductor Science and Technology, 2019, 第 3 作者

　　(12) First Set Pulse Impacts on Set Resistance Distribution of Phase Change Random Access Memory, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2019, 第 2 作者

　　(13) Subsequent Set Pulse Impacts on Set Resistance Distribution of Phase Change Memory, Semiconductor Science and Technology, 2019, 第 2 作者

　　(14) A candidate for high-speed and high-density phase change memory application, Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 第 2 作者

　　(15) The Influence of the Bitline Length on the Resistance Consistency in Phase Change Memory Array, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 第 2 作者

　　(16) Relaxation Oscillations in Ge2Sb2Te5-Based Phase Change Memory Devices Memory, Chinese Physics Letters, 2016, 第 2 作者

　　(17) Reduction of Reset Current in Phase Change Memory by Pre-Programming, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2016, 第 2 作者

　　(18) Endurance characteristics of phase change memory cells, Journal of Semiconductors, 2016, 第 2 作者

　　科研活动

　　科研项目

　　( 1 ) 复合载荷下相变存储器保持力特性及其机理研究, 主持, 国家级, 2019-01--2022-12

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